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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
作者: Wang PF;  Xiong YH;  Wang HL;  Huang SS;  Ni HQ;  Xu YQ;  He ZH;  Niu ZC
发表日期: 2009
摘要: A bilayer stacked InAs/GaAs quantum dot structure grown by molecular beam epitaxy on an In0.05Ga0.95As metamorphic buffer is investigated. By introducing a InGaAs Sb cover layer on the upper InAs quantum dots (QDs) layers, the emission wavelength of the QDs is extended successfully to 1.533 mu m at room temperature, and the density of the QDs is in the range of 4 x 10(9) -8 x 10(9) cm(-2). Strong photoluminescence (PL) intensity with a full width at half maximum of 28.6 meV of the PL spectrum shows good optical quality of the bilayer QDs. The growth of bilayer QDs on metamorphic buffers offers a useful way to extend the wavelengths of GaAs-based materials for potential applications in optoelectronic and quantum functional devices.
KOS主题词: Chrysanthemum morifolium;  Lasers;  Islands
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang PF ; Xiong YH ; Wang HL ; Huang SS ; Ni HQ ; Xu YQ ; He ZH ; Niu ZC .GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2009 ,26(6):Art. No. 067801
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