高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding
作者: Chen T;  Hong T;  Pan JQ;  Chen WX;  Cheng YB;  Wang Y;  Ma XB;  Liu WL;  Zhao LJ;  Ran GZ;  Wang W;  Qin GG
发表日期: 2009
摘要: A pulsed InGaAsP-Si hybrid laser is fabricated using metal bonding. A novel structure in which the optical coupling and metal bonding areas are transversely separated is employed to integrate the silicon waveguide with an InGaAsP multi-quantum well distributed feedback structure. When electrically pumped at room temperature, the laser operates with a threshold current density of 2.9 kA/cm(2) and a slope efficiency of 0.02 W/A. The 1542 nm laser output exits mainly from the Si waveguide.
KOS主题词: Chemical vapor deposition;  atomic layer deposition;  Vapor-plating;  Heraldry;  Photography--Films;  Finite volume method
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
101.pdf571KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Chen T ; Hong T ; Pan JQ ; Chen WX ; Cheng YB ; Wang Y ; Ma XB ; Liu WL ; Zhao LJ ; Ran GZ ; Wang W ; Qin GG .Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2009 ,26(6):Art. No. 064211
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Chen T]的文章
 [Hong T]的文章
 [Pan JQ]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Chen T]的文章
 [Hong T]的文章
 [Pan JQ]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发