高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Design and Fabrication of AlGaN-Based Resonant-Cavity-Enhanced p-i-n UV PDs
作者: Nie C;  Jiang RL;  Ji XL;  Xie ZL;  Liu B;  Han P;  Zhang R;  Zheng YD
发表日期: 2009
摘要: AlGaN-based resonant-cavity-enhanced (RCE) p-i-n photodetectors (PDs) for operating at the wavelength of 330 nm were designed and fabricated. A 20.5-pair AlN/Al0.3Ga0.7N distributed Bragg reflector (DBR) was used as the back mirror and a 3-pair AlN/Al0.3Ga0.7N DBR as the front one. In the cavity is a p-GaN/i-GaN/n-Al0.3Ga0.7N structure. The optical absorption of the RCE PD structure is at most 59.8% deduced from reflectance measurement. Selectively enhanced by the cavity effect, a response peak of 0.128 A/W at 330 nm with a half-peak breadth of 5.5 nm was obtained under zero bias. The peak wavelength shifted 15 nm with the incident angle of light increasing from 0 degrees to 60 degrees.
刊名: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
99.pdf570KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Nie C ; Jiang RL ; Ji XL ; Xie ZL ; Liu B ; Han P ; Zhang R ; Zheng YD .Design and Fabrication of AlGaN-Based Resonant-Cavity-Enhanced p-i-n UV PDs ,IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS,2009 ,45(5-6):575-578
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Nie C]的文章
 [Jiang RL]的文章
 [Ji XL]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Nie C]的文章
 [Jiang RL]的文章
 [Ji XL]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发