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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Inductively coupled plasma etching in fabrication of 2D InP-based photonic crystals
作者: Wang HL;  Xing MX;  Ren G;  Zheng WH
发表日期: 2009
摘要: The authors developed an inductively coupled plasma etching process for the fabrication of hole-type photonic crystals in InP. The etching was performed at 70 degrees C using BCl3/Cl-2 chemistries. A high etch rate of 1.4 mu m/min was obtained for 200 nm diameter holes. The process also yields nearly cylindrical hole shape with a 10.8 aspect ratio and more than 85 degrees straightness of the smooth sidewall. Surface-emitting photonic crystal laser and edge emitting one were demonstrated in the experiments.
KOS主题词: Amorphous semiconductors;  Indium compounds;  Photonic crystals;  Ion implantation;  Semiconductor lasers;  Ion beam lithography
刊名: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang HL ; Xing MX ; Ren G ; Zheng WH .Inductively coupled plasma etching in fabrication of 2D InP-based photonic crystals ,JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B,2009 ,27(3):1093-1096
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