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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Evolution of surface morphology and photoluminescence characteristics of 1.3-mu m In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
作者: Wei QX;  Ren ZW;  He ZH;  Niu ZC
发表日期: 2009
摘要: Evolution of surface morphology and optical characteristics of 1.3-mu m In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots (QDs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) are investigated by atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL). After deposition of 16 monolayers (ML) of In0.5Ga0.5As, QDs are formed and elongated along the [110] direction when using sub-ML depositions, while large size InGaAs QDs with better uniformity are formed when using ML or super-ML depositions. It is also found that the larger size QDs show enhanced PL efficiency without optical nonlinearity, which is in contrast to the elongated QDs.
KOS主题词: room temperature;  Optical properties;  Gallium arsenide;  sedimentation
刊名: CHINESE OPTICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wei QX ; Ren ZW ; He ZH ; Niu ZC .Evolution of surface morphology and photoluminescence characteristics of 1.3-mu m In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy ,CHINESE OPTICS LETTERS,2009 ,7(1):52-55
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