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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: High efficiency passively Q-switched mode-locking Nd:GdVO4 laser with LT-In0.25Ga0.75As saturable absorber
作者: Pan SD;  Zhao LN;  Yuan Y;  Zhu SN;  He JL;  Wang YG
发表日期: 2009
摘要: The generation of passively Q-switched mode-locking operation with 100% modulation depth has been observed from a diode-pumped Nd GdVO4 laser with a low temperature In0.25Ga0.75As saturable absorber, which was grown by the metal-organic chemical-vapor deposition technique and acted as saturable absorber as well as output coupler. The repetition rate and pulse duration of the mode-locked pulses concentrated in the Q-switch envelop were 455 MHz and 12 ps, respectively. The average output power was 1.8 W and the slope efficiency was 36%. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.
刊名: OPTICAL MATERIALS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Pan SD ; Zhao LN ; Yuan Y ; Zhu SN ; He JL ; Wang YG .High efficiency passively Q-switched mode-locking Nd:GdVO4 laser with LT-In0.25Ga0.75As saturable absorber ,OPTICAL MATERIALS,2009 ,31(8):1215-1217
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