高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Observation of the surface circular photogalvanic effect in InN films
作者: Zhang Z;  Zhang R;  Xie ZL;  Liu B;  Li M;  Fu DY;  Fang HN;  Xiu XQ;  Lu H;  Zheng YD;  Chen YH;  Tang CG;  Wang ZG
发表日期: 2009
摘要: A sizable spin-dependent photocurrent related to the interband transition in InN films is observed. The surface charge accumulation layer is suggested to be the origin of the circular photogalvanic current, which is consistent with the result of uniaxial strain experiments and the comparison of front and back incidence. The homogeneous photocurrent demonstrates the existence of spin splitting in the InN surface layer, and the structure inversion asymmetry (SIA)-dominant mechanism indicates a great possibility for the manipulation of spin splitting, which would undoubtedly benefit further research and applications of spintronics. Crown Copyright (C) 2009 Published by Elsevier Ltd. All rights reserved.
KOS主题词: Spin splitting
刊名: SOLID STATE COMMUNICATIONS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
81.pdf1105KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Zhang Z ; Zhang R ; Xie ZL ; Liu B ; Li M ; Fu DY ; Fang HN ; Xiu XQ ; Lu H ; Zheng YD ; Chen YH ; Tang CG ; Wang ZG .Observation of the surface circular photogalvanic effect in InN films ,SOLID STATE COMMUNICATIONS,2009 ,149(25-26):1004-1007
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Zhang Z]的文章
 [Zhang R]的文章
 [Xie ZL]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Zhang Z]的文章
 [Zhang R]的文章
 [Xie ZL]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发