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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/Al-O/CoFeB hybrid structures
作者: Du GX;  Babu MR;  Han XF;  Deng JJ;  Wang WZ;  Zhao JH;  Wang WD;  Tang JK
发表日期: 2009
摘要: Tunneling magnetoresistance (TMR) in Ga(0.9)2Mn(0.08)As/Al-O/Co40Fe40B20 trilayer hybrid structure as a function of temperature from 10 to 50 K with magnetic field vertical bar H vertical bar <= 2000 Oe has been studied. TMR ratio of 1.6% at low fields at 10 K was achieved with the applied current of 1 mu A. The behavior of junction resistance was well explained by the tunneling resistance across the barrier. Strong bias dependences of magnetoresistance and junction resistance were presented. (C) 2009 American Institute of Physics. [DOI 10.1063/1.3068418]
KOS主题词: electron spin polarisation;  Heterostructures;  Junctions
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Du GX ; Babu MR ; Han XF ; Deng JJ ; Wang WZ ; Zhao JH ; Wang WD ; Tang JK .Tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/Al-O/CoFeB hybrid structures ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2009 ,105(7):Art. No. 07C707
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