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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Structural and Magnetic Properties of Sm Implanted GaN
作者: Jiang LJ;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang ZG;  Feng C;  Zhang ML;  Tang J
发表日期: 2009
摘要: The structural and magnetic properties of Sm ion-implanted GaN with different Sm concentrations are investigated. XRD results do not show any peaks associated with second phase formation. Magnetic investigations performed by superconducting quantum interference device reveal ferromagnetic behavior with an ordering temperature above room temperature in all the implanted samples, while the effective magnetic moment per Sm obtained from saturation magnetization gives a much higher value than the atomic moment of Sm. These results could be explained by the phenomenological model proposed by Dhar et al. [Phys. Rev. Lett. 94(2005) 037205, Phys. Rev. B 72(2005) 245203] in terms of a long-range spin polarization of the GaN matrix by the Sm atoms.
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Jiang LJ ; Wang XL ; Xiao HL ; Wang ZG ; Feng C ; Zhang ML ; Tang J .Structural and Magnetic Properties of Sm Implanted GaN ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2009 ,26(7):Art. No. 077502
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