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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Curvature Correction of FWHM in the X-Ray Rocking Curve of Bent Heteroepitaxial Films
作者: Wang LJ;  Zhang SM;  Wang YT;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Wang H;  Shi YS;  Wang H;  Liu SY;  Yang H
发表日期: 2009
摘要: A method for accurate determination of the curvature radius of semiconductor thin films is proposed. The curvature-induced broadening of the x-ray rocking curve (XRC) of a heteroepitaxially grown layer can be determined if the dependence of the full width at half maximum (FWHM) of XRC is measured as a function of the width of incident x-ray beam. It is found that the curvature radii of two GaN films grown on a sapphire wafer are different when they are grown under similar MOCVD conditions but have different values of layer thickness. At the same time, the dislocation-induced broadening of XRC and thus the dislocation density of the epitaxial film can be well calculated after the curvature correction.
KOS主题词: Density;  Crystals;  Layers
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang LJ ; Zhang SM ; Wang YT ; Jiang DS ; Zhu JJ ; Zhao DG ; Liu ZS ; Wang H ; Shi YS ; Wang H ; Liu SY ; Yang H .Curvature Correction of FWHM in the X-Ray Rocking Curve of Bent Heteroepitaxial Films ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2009 ,26(7):Art. No. 076104
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