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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect
作者: Zhang Q;  Wang XQ;  He XW;  Yin CM;  Xu FJ;  Shen B;  Chen YH;  Wang ZG;  Ishitani Y;  Yoshikawa A
发表日期: 2009
摘要: We report an effective and nondestructive method based on circular photogalvanic effect (CPGE) to detect the lattice polarity of InN. Because of the lattice inversion between In- and N-polar InN, the energy band spin splitting is opposite for InN films with different polarities. Consequently under light irradiation with the same helicity, CPGE photocurrents in In- and N-polar layers will have opposite directions, thus the polarity can be detected. This method is demonstrated by our CPGE measurements in both n- and p-type InN films.
KOS主题词: Amorphous semiconductors;  Indium compounds;  NONDESTRUCTIVE TESTS;  Photoconductivity;  Heat treatment;  semiconductor epitaxial layers;  Wide gap semiconductors
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhang Q ; Wang XQ ; He XW ; Yin CM ; Xu FJ ; Shen B ; Chen YH ; Wang ZG ; Ishitani Y ; Yoshikawa A .Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2009 ,95(3):Art. No. 031902
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