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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer
作者: Tan XT;  Zheng HZ;  Liu J;  Zhu H;  Xu P;  Li GR;  Yang FH
发表日期: 2009
摘要: By replacing the flat (Ga1-xAlx)As barrier layer with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer, a conventional heterostructure can be operated in enhancement mode. The sheet density of two-dimensional electron gas (2DEG) in the structure can be tuned linearly from N-2D = 0.3 x 10(11) cm(-2) to N-2D = 4.3 x 10(11) cm(-2) by changing the bias on the top gate. The present scheme for gated heterostructures is easy to fabricate and does not require the use of self-alignment photolithography or the deposition of insulating layers. In addition, this scheme facilitates the initial electrical contact to 2DEG. Although, the highest electron mobility obtained for the moment is limited by the background doping level of heterostructures, the mobility should be improved substantially in the future. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Modulation-doped field-effect transistors;  Electron gas
刊名: PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Tan XT ; Zheng HZ ; Liu J ; Zhu H ; Xu P ; Li GR ; Yang FH .Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer ,PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES,2009 ,41(8):1379-1381
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