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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electron spin quantum beats and room temperature g factor in GaAsN
作者: Zhao HM;  Lombez L;  Liu BL;  Sun BQ;  Xue QK;  Chen DM;  Marie X
发表日期: 2009
摘要: We report on the investigation of electron spin quantum beats at room temperature in GaAsN thin films by time-resolved Kerr rotation technique. The measurement of the quantum beats, which originate from the Larmor precession of electron spins in external transverse magnetic field, yields an accurate determination of the conduction electron g factor. We show that the g factor of GaAs1-xNx thin films is significantly changed by the introduction of a small nitrogen fraction.
KOS主题词: electron spin polarisation;  Gallium arsenide;  g-factor;  high-speed optical techniques;  Amorphous semiconductors;  semiconductor epitaxial layers;  Zeeman effect
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhao HM ; Lombez L ; Liu BL ; Sun BQ ; Xue QK ; Chen DM ; Marie X .Electron spin quantum beats and room temperature g factor in GaAsN ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2009 ,95(4):Art. No. 041911
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