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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
作者: Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Wang H;  Zhang SM;  Wang YT;  Yang H
发表日期: 2009
摘要: A close relationship is found between the blue and yellow luminescence bands in n-type GaN films, which are grown without intentional acceptor doping. The intensity ratio of blue luminescence to yellow luminescence (I-BL/I-YL) decreases with the increase in edge dislocation densities as demonstrated by the (102) full width at half maximum of x-ray diffraction. In addition, the I-BL/I-YL ratio decreases with the increase in Si doping. It is suggested that the edge dislocation and Si impurity play important roles in linking the blue and yellow luminescence.
KOS主题词: Dislocations;  Gallium compounds;  Amorphous semiconductors;  crystal impurities;  Photoluminescence;  Semiconductor doping;  semiconductor epitaxial layers;  Silicon;  Wide gap semiconductors;  X-ray crystallography
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhao DG ; Jiang DS ; Zhu JJ ; Liu ZS ; Wang H ; Zhang SM ; Wang YT ; Yang H .Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2009 ,95(4):Art. No. 041901
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