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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods
作者: Sun X;  Jiang DS;  Liu WB;  Zhu JH;  Wang H;  Liu ZS;  Zhu JJ;  Wang YT;  Zhao DG;  Zhang SM;  You LP;  Ma RM;  Yang H
发表日期: 2009
摘要: Nanostructured hexagonal InN overlayers were heteroepitaxially deposited on vertically oriented c-axis GaN nanorods by metal-organic chemical vapor deposition. InN overlayers grown in radial directions are featured by a nonpolar heteroepitaxial growth mode on GaN nanorods, showing a great difference from the conventional InN growth on (0001) c-plane GaN template. The surface of InN overlayers is mainly composed of several specific facets with lower crystallographic indices. The orientation relationship between InN and GaN lattices is found to be [0001](InN) parallel to [0001](GaN) and [1100](InN)parallel to[1100](GaN). A strong photoluminescence of InN nanostructures is observed. (C) 2009 American Institute of Physics. [DOI 10.1063/1.3177347]
KOS主题词: Light emitting diodes;  Nanowires;  Heterostructures;  Nanostructured materials;  atomic layer deposition;  Polar
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Sun X ; Jiang DS ; Liu WB ; Zhu JH ; Wang H ; Liu ZS ; Zhu JJ ; Wang YT ; Zhao DG ; Zhang SM ; You LP ; Ma RM ; Yang H .Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2009 ,106(2):Art. No. 026102
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