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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence from heterogeneous SiGe/Si nanostructures prepared via a two-step approach strategy
作者: Zhou B;  Pan SW;  Chen SY;  Li C;  Lai HK;  Yu JZ;  Zhu XF
发表日期: 2009
摘要: A two-step approach of preparation for SiGe/Si heterogeneous nanostructures, which combined with ultra-high vacuum chemical deposition and electrochemical anodization techniques, is demonstrated. Uniformly distributed nanostructures with a quite uniform distribution of size and morphology are obtained. A strong room-temperature photoluminescence from the nanostructures was observed with a narrow full-width at half-maximum of around 110 meV. The possible origins of the two main peaks at around 1.6 and 1.8 eV have been discussed in detail. The two-step approach is proved to be a promising method to fabricate new Si-based optoelectronic materials. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: NANOSTRUCTURE;  Photoluminescence
刊名: JOURNAL OF LUMINESCENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhou B ; Pan SW ; Chen SY ; Li C ; Lai HK ; Yu JZ ; Zhu XF .Photoluminescence from heterogeneous SiGe/Si nanostructures prepared via a two-step approach strategy ,JOURNAL OF LUMINESCENCE,2009 ,129(9):1073-1077
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