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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Gap states and microstructure of microcrystalline silicon thin films
作者: Peng WB;  Liu SY;  Xiao HB;  Zhang CS;  Shi MJ;  Zeng XB;  Xu YY;  Kong GL;  Yu YD
发表日期: 2009
摘要: The density of states (DOS) above Fermi level of hydrogenated microcrystalline silicon (mu c-Si H) films is correlated to the material microstructure. We use Raman scattering and infrared absorption spectra to characterize the structure of the films made with different hydrogen dilution ratios. The DOS of the films is examined by modulated photocurrent measurement. The results have been accounted for in the framework of a three-phase model comprised of amorphous and crystalline components, with the grain boundary as the third phase. We observed that the DOS increases monotonically as the grain boundary volume fractions f(gb) is increased, which indicates a positive correlation between the DOS and the grain boundary volume fraction.
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Peng WB ; Liu SY ; Xiao HB ; Zhang CS ; Shi MJ ; Zeng XB ; Xu YY ; Kong GL ; Yu YD .Gap states and microstructure of microcrystalline silicon thin films ,ACTA PHYSICA SINICA,2009 ,58(8):5716-5720
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