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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: High-Temperature Continuous-Wave Single-Mode Operation of 1.3 mu m p-Doped InAs-GaAs Quantum-Dot VCSELs
作者: Xu DW;  Yoon SF;  Tong CZ;  Zhao LJ;  Ding Y;  Fan WJ
发表日期: 2009
摘要: In this letter, we have demonstrated continuous-wave single-mode operation of 1.3-mu m InAs-GaAs quantum-dot (QD) vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with p-type modulation-doped QD active region from 20 degrees C to 60 degrees C. The highest output power of 0.435mW and lowest threshold current of 1.2 mA under single-mode operation are achieved. The temperature-dependent output characteristics of QD-VCSELs are investigated. Single-mode operation with a sidemode suppression ratio of 34 dB is observed at room temperature. The critical size of oxide aperture for single-mode operation is discussed.
KOS主题词: thermal stability
刊名: IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Xu DW ; Yoon SF ; Tong CZ ; Zhao LJ ; Ding Y ; Fan WJ .High-Temperature Continuous-Wave Single-Mode Operation of 1.3 mu m p-Doped InAs-GaAs Quantum-Dot VCSELs ,IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,2009 ,21(17):1211-1213
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