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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature
作者: Hu WX;  Cheng BW;  Xue CL;  Xue HY;  Su SJ;  Bai AQ;  Luo LP;  Yu YD;  Wang QM
发表日期: 2009
摘要: A Ge/Si heterojunction light emitting diode with a p(+)-Ge/i-Ge/N+-Si structure was fabricated using the ultrahigh vacuum chemical vapor deposition technology on N+-Si substrate. The device had a good I-V rectifying behavior. Under forward bias voltage ranging from 1.1 to 2.5 V, electroluminescence around 1565 nm was observed at room temperature. The mechanism of the light emission is discussed by the radiative lifetime and the scattering rate. The results indicate that germanium is a potential candidate for silicon-based light source material. (C) 2009 American Institute of Physics. [DOI 10.1063/1.3216577]
KOS主题词: Semiconductors;  Dependency;  Silicon;  gap
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Hu WX ; Cheng BW ; Xue CL ; Xue HY ; Su SJ ; Bai AQ ; Luo LP ; Yu YD ; Wang QM .Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2009 ,95(9):Art. No. 092102
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