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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Determination of the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures
作者: Zhao JZ;  Lin ZJ;  Corrigan TD;  Zhang Y;  Lu YJ;  Lu W;  Wang ZG;  Chen H
发表日期: 2009
摘要: Using the measured capacitance-voltage curves and the photocurrent spectrum obtained from the Ni Schottky contact on a strained Al0.3Ga0.7N/GaN heterostructure, the value of the relative permittivity of the AlGaN barrier layer was analysed and calculated by self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations. It is shown that the calculated values of the relative permittivity are different from those formerly reported, and reverse biasing the Ni Schottky contact has an influence on the value of the relative permittivity. As the reverse bias increases from 0 V to - 3 V, the value of the relative permittivity decreases from 7.184 to 7.093.
KOS主题词: permittivity
刊名: CHINESE PHYSICS B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhao JZ ; Lin ZJ ; Corrigan TD ; Zhang Y ; Lu YJ ; Lu W ; Wang ZG ; Chen H .Determination of the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures ,CHINESE PHYSICS B,2009 ,18(9):3980-3984
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