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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: High-speed 2 x 2 silicon-based electro-optic switch with nanosecond switch time
作者: Xu XJ;  Chen SW;  Xu HH;  Sun Y;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM
发表日期: 2009
摘要: A 2 x 2 electro-optic switch is experimentally demonstrated using the optical structure of a Mach-Zehnder interferometer (MZI) based on a submicron rib waveguide and the electrical structure of a PIN diode on silicon-on-insulator (SOI). The switch behaviour is achieved through the plasma dispersion effect of silicon. The device has a modulation arm of I mm in length and cross-section of 400 nmx340 nm. The measurement results show that the switch has a V pi L pi figure of merit of 0.145 V-cm and the extinction ratios of two output ports and cross talk are 40 dB, 28 dB and -28 dB, respectively. A 3 dB modulation bandwidth of 90 MHz and a switch time of 6.8 ns for the rise edge and 2.7 ns for the fall edge are also demonstrated.
KOS主题词: semiconductor-insulator boundaries
刊名: CHINESE PHYSICS B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Xu XJ ; Chen SW ; Xu HH ; Sun Y ; Yu YD ; Yu JZ ; Wang QM .High-speed 2 x 2 silicon-based electro-optic switch with nanosecond switch time ,CHINESE PHYSICS B,2009 ,18(9):3900-3904
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