高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Silicon waveguide modulator based on carrier depletion in periodically interleaved PN junctions
作者: Li ZY;  Xu DX;  McKinnon WR;  Janz S;  Schmid JH;  Cheben P;  Yu JZ
发表日期: 2009
摘要: We present the design and numerical simulation results for a silicon waveguide modulator based on carrier depletion in a linear array of periodically interleaved PN junctions that are oriented perpendicular to the light propagation direction. In this geometry the overlap of the optical waveguide mode with the depletion region is much larger than in designs using a single PN junction aligned parallel to the waveguide propagation direction. Simulations predict that an optimized modulator will have a high modulation efficiency of 0.56 V.cm for a 3V bias, with a 3 dB frequency bandwidth of over 40 GHz. This device has a length of 1.86 mm with a maximum intrinsic loss of 4.3 dB at 0V bias, due to free carrier absorption. (C) 2009 Optical Society of America
KOS主题词: Electrooptical devices
刊名: OPTICS EXPRESS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
10.pdf328KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Li ZY ; Xu DX ; McKinnon WR ; Janz S ; Schmid JH ; Cheben P ; Yu JZ .Silicon waveguide modulator based on carrier depletion in periodically interleaved PN junctions ,OPTICS EXPRESS,2009 ,17(18):15947-15958
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Li ZY]的文章
 [Xu DX]的文章
 [McKinnon WR]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Li ZY]的文章
 [Xu DX]的文章
 [McKinnon WR]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发