高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A new phototransistor with uni-travelling-carrier and optically gradual coupling properties
作者: Wang L;  Zhao L;  Pan J;  Zhang W;  Wang H;  Zhu H;  Wang W
发表日期: 2009
摘要: Based on appropriate combination of different band-gap InGaAsP, a new edge-coupled two-terminal double heterojunction phototransistor (ECTT-DHPT) was designed and fabricated, which is double heterojunction, free-aluminium, and works under uni-travelling-carrier mode and optically gradual coupling mode. This device is fully compatible with monolithic micro-wave integrated circuits (MMIC) and heterojunction bipolar transistor (HBT) in material and process. The DC characteristics reveal that the new ECTT-DHPT can perform good optoelectronic mix operation and linear amplification operation by optically biased at two appropriate value respectively. Responsivity of more than 52 A/W and dark current of 70 nA (when V-EC = 1 V) were obtained.
刊名: OPTO-ELECTRONICS REVIEW
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
7.pdf627KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Wang L ; Zhao L ; Pan J ; Zhang W ; Wang H ; Zhu H ; Wang W .A new phototransistor with uni-travelling-carrier and optically gradual coupling properties ,OPTO-ELECTRONICS REVIEW,2009 ,17(3):242-246
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Wang L]的文章
 [Zhao L]的文章
 [Pan J]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Wang L]的文章
 [Zhao L]的文章
 [Pan J]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发