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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 1.58 mu m InGaAs quantum well laser on GaAs
作者: Tangring, I;  Ni, HQ;  Wu, BP;  Wu, DH;  Xiong, YH;  Huang, SS;  Niu, ZC;  Wang, SM;  Lai, ZH;  Larsson, A
发表日期: 2007
摘要: We demonstrate the 1.58 mu m emission at room temperature from a metamorphic In0.6Ga0.4As quantum well laser grown on GaAs by molecular beam epitaxy. The large lattice mismatch was accommodated through growth of a linearly graded buffer layer to create a high quality virtual In0.32Ga0.68As substrate. Careful growth optimization ensured good optical and structural qualities. For a 1250x50 mu m(2) broad area laser, a minimum threshold current density of 490 A/cm(2) was achieved under pulsed operation. This result indicates that metamorphic InGaAs quantum wells can be an alternative approach for 1.55 mu m GaAs-based lasers. (C) 2007 American Institute of Physics.
KOS主题词: Development
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Tangring, I ; Ni, HQ ; Wu, BP ; Wu, DH ; Xiong, YH ; Huang, SS ; Niu, ZC ; Wang, SM ; Lai, ZH ; Larsson, A .1.58 mu m InGaAs quantum well laser on GaAs ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2007 ,91(22): Art. No. 221101
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