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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Optimization of metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs grown by molecular beam epitaxy
作者: Wu, BP;  Wu, DH;  Ni, HQ;  Huang, SS;  Zhan, F;  Xiong, YH;  Xu, YQ;  Niu, ZC
发表日期: 2007
摘要: We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGa(1-x)As materials (x up to 0.5) on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical quality. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content (55%) InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions.
KOS主题词: Layers;  Surfactant;  Substrate;  Modulation-doped field-effect transistors;  Antimony
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wu, BP ; Wu, DH ; Ni, HQ ; Huang, SS ; Zhan, F ; Xiong, YH ; Xu, YQ ; Niu, ZC .Optimization of metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs grown by molecular beam epitaxy ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2007 ,24(12): 3543-3546
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