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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Using different carrier gases to control AlN film stress and the effect on morphology, structural properties and optical properties
作者: Hu, WG;  Liu, XL;  Jiao, CM;  Wei, HY;  Kang, TT;  Zhang, PF;  Zhang, RQ;  Fan, HB;  Zhu, QS
发表日期: 2007
摘要: On the metalorganic chemical vapour deposition growth of AlN, by adjusting H-2+N-2 mixture gas components, we can gradually control island dimension. During the Volmer - Weber growth, the 2-dimensional coalescence of the islands induces an intrinsic tensile stress. Then, this process can control the in-plane stress: with the N-2 content increasing from 0 to 3 slm, the in-plane stress gradually changes from 1.5 GPa tensile stress to - 1.2GPa compressive stress. Especially, with the 0.5 slm N-2 + 2.5 slm H-2 mixture gas, the in-plane stress is only 0.1 GPa, which is close to the complete relaxation state. Under this condition, this sample has good crystal and optical qualities.
KOS主题词: Vapor phase epitaxy;  Wurtzite-type crystals;  Thin films;  Aluminum nitride;  Aluminum oxide;  sedimentation;  strain
刊名: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Hu, WG ; Liu, XL ; Jiao, CM ; Wei, HY ; Kang, TT ; Zhang, PF ; Zhang, RQ ; Fan, HB ; Zhu, QS .Using different carrier gases to control AlN film stress and the effect on morphology, structural properties and optical properties ,JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,2007 ,40(23): 7462-7466
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