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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Simulation of In0.65Ga0.35N single-junction solar cell
作者: Zhang, X;  Wang, X;  Xiao, H;  Yang, C;  Ran, J;  Wang, C;  Hou, Q;  Li, J
发表日期: 2007
摘要: The performances of In0.65Ga0.35N single-junction solar cells with different structures, including various doping densities and thicknesses of each layer, have been simulated. It is found that the optimum efficiency of a In0.65Ga0.35N solar cell is 20.284% with 5 x 10(17) cm(-3) carrier concentration of the front and basic regions, a 130 nm thick p-layer and a 270 nm thick n-layer.
KOS主题词: Energy bands
刊名: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhang, X ; Wang, X ; Xiao, H ; Yang, C ; Ran, J ; Wang, C ; Hou, Q ; Li, J .Simulation of In0.65Ga0.35N single-junction solar cell ,JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,2007 ,40(23): 7335-7338
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