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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Valence band offset of ZnO/GaAs heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
作者: Zhang, PF;  Liu, XL;  Zhang, RQ;  Fan, HB;  Yang, AL;  Wei, HY;  Jin, P;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG
发表日期: 2008
摘要: X-ray photoelectron spectroscopy has been used to measure the valence band offset at the ZnO/GaAs heterojunction interface. The valence band offset is determined to be 2.39 +/- 0.23 eV. As a consequence, a type-II heterojunction with a conduction band offset of -0.44 +/- 0.23 eV is found. The directly obtained value is in good agreement with the result of theoretical calculations based on the interface-induced gap states and the chemical electronegativity theory. (c) 2008 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang, PF ; Liu, XL ; Zhang, RQ ; Fan, HB ; Yang, AL ; Wei, HY ; Jin, P ; Yang, SY ; Zhu, QS ; Wang, ZG .Valence band offset of ZnO/GaAs heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2008 ,92(1): Art. No. 012104
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