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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photovoltaic effects in InGaN structures with p-n junctions
作者: Yang, CB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Ran, JX;  Wang, CM;  Hu, GX;  Wang, XH;  Zhang, XB;  Li, MP;  Li, JM
发表日期: 2007
摘要: InGaN photovoltaic structures with p-n junctions have been fabricated by metal organic chemical vapour deposition. Using double-crystal X-ray diffraction measurements, it was found that the room temperature band gaps of p-InGaN and n-InGaN films were 2.7 and 2.8 eV, respectively. Values of 3.4 x 10(-2) mA cm(-2) short-circuit current, 0.43 V open-circuit voltage and 0.57 fill factor have been achieved under ultraviolet illumination (360 nm), which were related to p-n junction connected back-to-back with a Schottky barrier and many defects of the p-InGaN film. 2007 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
刊名: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Yang, CB ; Wang, XL ; Xiao, HL ; Ran, JX ; Wang, CM ; Hu, GX ; Wang, XH ; Zhang, XB ; Li, MP ; Li, JM .Photovoltaic effects in InGaN structures with p-n junctions ,PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE,2007 ,204(12): 4288-4291
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