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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Spin-orbit splitting of a hydrogenic donor impurity in GaAs/GaAlAs quantum wells
作者: Li, SS;  Xia, JB
发表日期: 2008
摘要: The electronic states of a hydrogenic donor impurity in GaAs/GaAlAs quantum wells are investigated theoretically in the framework of effective-mass envelope function theory, including the effect of Rashba spin-orbit coupling. The splits of electron energy levels are calculated. The results show that (1) the split energy of the excited state is larger than that of the ground state; (2) the split energy peak appears as the GaAs well width increases from zero; and (3) the maximum split energy reaches about 1.6 meV. Our results are useful for the application of Rashba spin-orbit coupling to photoelectric devices. (c) 2008 American Institute of Physics.
KOS主题词: ENERGY SPECTRA;  States;  Cantons
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Li, SS ; Xia, JB .Spin-orbit splitting of a hydrogenic donor impurity in GaAs/GaAlAs quantum wells ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2008 ,92(2): Art. No. 022102
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