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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Evolution of Ge and SiGe quantum dots under excimer laser annealing
作者: Han GQ;  Zeng YG;  Yu JZ;  Cheng BW;  Yang HT
发表日期: 2008
摘要: We present different relaxation mechanisms of Ge and SiGe quantum dots under excimer laser annealing. Investigation of the coarsening and relaxation of the dots shows that the strain in Ge dots on Ge films is relaxed by dislocation since there is no interface between the Ge dots and the Ge layer, while the SiGe dots on Si0.77Ge0.23 film relax by lattice distortion to coherent clots, which results from the obvious interface between the SiGe clots and the Si0.77Ge0.23 film. The results are suggested and sustained by Vanderbilt and Wickham's theory, and also demonstrate that no bulk diffusion oGeurs during the excimer laser annealing.
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Han, GQ ; Zeng, YG ; Yu, JZ ; Cheng, BW ; Yang, HT .Evolution of Ge and SiGe quantum dots under excimer laser annealing ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2008 ,25(1): 242-245
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