高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Valence band offset of MgO/InN heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
作者: Zhang, PF;  Liu, XL;  Zhang, RQ;  Fan, HB;  Song, HP;  Wei, HY;  Jiao, CM;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG
发表日期: 2008
摘要: MgO may be a promising gate dielectric and surface passivation film for InN based devices and the valence band offset of MgO/InN heterojunction has been measured by x-ray photoelectron spectroscopy. The valence band offset is determined to be 1.59 +/- 0.23 eV. Given the experimental band gap of 7.83 for the MgO, a type-I heterojunction with a conduction band offset of 5.54 +/- 0.23 eV is found. The accurate determination of the valence and conduction band offsets is important for use of MgO/InN electronic devices. (c) 2008 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
602.pdf215KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Zhang, PF ; Liu, XL ; Zhang, RQ ; Fan, HB ; Song, HP ; Wei, HY ; Jiao, CM ; Yang, SY ; Zhu, QS ; Wang, ZG .Valence band offset of MgO/InN heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2008 ,92(4): Art. No. 042906
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Zhang, PF]的文章
 [Liu, XL]的文章
 [Zhang, RQ]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Zhang, PF]的文章
 [Liu, XL]的文章
 [Zhang, RQ]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发