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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Study of the wetting layer of InAs/GaAs nanorings grown by droplet epitaxy
作者: Zhao, C;  Chen, YH;  Xu, B;  Tang, CG;  Wang, ZG;  Ding, F
发表日期: 2008
摘要: The properties of the wetting layer (WL) of InAs nanorings grown by droplet epitaxy have been studied. The heavy-hole (HH) and light-hole (LH) related transitions of the In(Ga)As WL were observed by reflectance difference spectroscopy. From the temperature dependent photoluminescence behavior of InAs rings, the channel for carriers to redistribute was found to be the compressed GaAs instead of the In(Ga)As layer, which strongly indicated that the wetting layer was depleted around the rings. Futhermore, a complex evolution of the WL with In deposition amount has been observed. (c) 2008 American Institute of Physics.
KOS主题词: Quantum dots
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhao, C ; Chen, YH ; Xu, B ; Tang, CG ; Wang, ZG ; Ding, F .Study of the wetting layer of InAs/GaAs nanorings grown by droplet epitaxy ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2008 ,92(6): Art. No. 063122
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