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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO
作者: Gai, YQ;  Yao, B;  Wei, ZP;  Li, YF;  Lu, YM;  Shen, DZ;  Zhang, JY;  Zhao, DX;  Fan, XW;  Li, JB;  Xia, JB
发表日期: 2008
摘要: Our Raman measurement indicates that the intensity of the peaks (510 and 645 cm(-1)) related to nitrogen concentration is enhanced in MgZnO compared with that in ZnO. Using first-principles band structure methods, we calculated the formation energy and transition energy level for nitrogen acceptor in ZnO and random MgxZn1-xO (with x=0.25) alloy. Our calculations show that the incorporation of nitrogen can be enhanced as Mg is alloyed into ZnO, which agrees with our experiments. The acceptor energy level deeper in the alloy ascribes to the downward shift of the valence-band maximum edge in the presence of magnesium. (c) 2008 American Institute of Physics.
KOS主题词: Energy bands;  Semiconductors;  Photography--Films;  Finite volume method;  Epitaxy
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Gai, YQ ; Yao, B ; Wei, ZP ; Li, YF ; Lu, YM ; Shen, DZ ; Zhang, JY ; Zhao, DX ; Fan, XW ; Li, JB ; Xia, JB .Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2008 ,92(6): Art. No. 062110
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