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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Single-photon emission from a single InAs quantum dot
作者: Dou, XM;  Sun, BQ;  Huang, SS;  Ni, HQ;  Niu, ZC
发表日期: 2008
摘要: Excitation power-dependent micro-photoluminescence spectra and photon-correlation measurement are used to study the optical properties and photon statistics of single InAs quantum dots. Exciton and biexciton emissions, whose photoluminescence intensities have linear and quadratic excitation power dependences, respectively, are identified. Under pulsed laser excitation, the zero time delay peak of second order correlation function corresponding to exciton emission is well suppressed, which is a clear evidence of single photon emission.
KOS主题词: Fluorescence;  Temperature
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Dou, XM ; Sun, BQ ; Huang, SS ; Ni, HQ ; Niu, ZC .Single-photon emission from a single InAs quantum dot ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2008 ,25(2): 501-504
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