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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A novel butt-joint scheme for the preparation of electro-absorptive lasers
作者: Cheng YB;  Pan JQ;  Zhou F;  Feng W;  Wang BJ;  Zhu HL;  Zhao LJ;  Wang W
发表日期: 2008
摘要: A 1.55 mu m InGaAsP/InGaAsP multiple-quantum-well electro-absorption modulator (EAM) monolithically integrated with a distributed feedback laser (DFB) diode has been realized based on a novel butt-joint scheme by ultra-low metal-organic vapour phase epitaxy for the first time. The threshold current of 25 mA and an extinction ratio of more than 30 dB are obtained by using the novel structure. The beam divergence angles at the horizontal and vertical directions are as small as 19.3 degrees x 13 degrees, respectively, without a spot-size converter by undercutting the InGaAsP active region. The capacitance of the ridge waveguide device with a deep mesa buried by polyimide was reduced down to 0.30 pF.
刊名: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Cheng, YB ; Pan, JQ ; Zhou, F ; Feng, W ; Wang, BJ ; Zhu, HL ; Zhao, LJ ; Wang, W .A novel butt-joint scheme for the preparation of electro-absorptive lasers ,JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,2008 ,41(3): Art. No. 035108
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