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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Intrinsic spin hall effect induced by quantum phase transition in HgCdTe quantum wells
作者: Yang W;  Chang K;  Zhang SC
发表日期: 2008
摘要: The spin Hall effect can be induced by both extrinsic impurity scattering and intrinsic spin-orbit coupling in the electronic structure. The HgTe/CdTe quantum well has a quantum phase transition where the electronic structure changes from normal to inverted. We show that the intrinsic spin Hall effect of the conduction band vanishes on the normal side, while it is finite on the inverted side. By tuning the Cd content, the well width, or the bias electric field across the quantum well, the intrinsic spin Hall effect can be switched on or off and tuned into resonance under experimentally accessible conditions.
KOS主题词: Heterostructures
刊名: PHYSICAL REVIEW LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Yang, W ; Chang, K ; Zhang, SC .Intrinsic spin hall effect induced by quantum phase transition in HgCdTe quantum wells ,PHYSICAL REVIEW LETTERS,2008 ,100(5): Art. No. 056602
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