高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InN
作者: Zhang, Z;  Zhang, R;  Liu, B;  Xie, ZL;  Xiu, XQ;  Han, R;  Lu, H;  Zheng, YD;  Chen, YH;  Tang, CG;  Wang, ZG
发表日期: 2008
摘要: The circular photogalvanic effect (CPGE) is observed in InN at inter-band excitation. The function of the CPGE induced current on laser helicity is experimentally demonstrated and illustrated with the microscopic model. A spin-dependent current obtained in InN is one order larger than in the AlGaN/GaN heterostructures at inter-band excitation. The dependence of CPGE current amplitude on light power and incident angle can be well evaluated with phenomenological theory. This sizeable spin-dependent current not only provides an opportunity to realize spin polarized current at room temperature, but also can be utilized as a reliable tool of spin splitting investigation in semiconductors. (c) 2007 Published by Elsevier Ltd.
KOS主题词: Interband transition
刊名: SOLID STATE COMMUNICATIONS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
580.pdf466KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Zhang, Z ; Zhang, R ; Liu, B ; Xie, ZL ; Xiu, XQ ; Han, R ; Lu, H ; Zheng, YD ; Chen, YH ; Tang, CG ; Wang, ZG .Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InN ,SOLID STATE COMMUNICATIONS,2008 ,145(4): 159-162
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Zhang, Z]的文章
 [Zhang, R]的文章
 [Liu, B]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Zhang, Z]的文章
 [Zhang, R]的文章
 [Liu, B]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发