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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electronic structure in GaAs/AlxGa1-xAs spherical quantum dots
作者: Wang, CD
发表日期: 2008
摘要: In this paper, how the dots' radius, At concentration and external electric field affect the single electron energy states in GaAs/AlxGa1-xAs spherical quantum dots are discussed in detail. Furthermore, the modification of the energy states is calculated when the difference in effective electron mass in GaAs and AlxGa1-xAs are considered. In addition, both the analytical method and the plane wave method are used in calculation and the results are compared, showing that they are in good agreement with each other. The results and methods can provide useful information for the future research and potential applications of quantum dots.
KOS主题词: analytical method;  effective mass
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang, CD .Electronic structure in GaAs/AlxGa1-xAs spherical quantum dots ,ACTA PHYSICA SINICA,2008 ,57(2): 1091-1096
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