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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Evolution of structural defects in SiOx films fabricated by electron cyclotron resonance plasma chemical vapour deposition upon annealing treatment
作者: Hao, XP;  Wang, BY;  Yu, RS;  Wei, L;  Wang, H;  Zhao, DG;  Hao, WC
发表日期: 2008
摘要: We study the structural defects in the SiOx film prepared by electron cyclotron resonance plasma chemical vapour deposition and annealing recovery evolution. The photoluminescence property is observed in the as-deposited and annealed samples. [-SiO3](2-) defects are the luminescence centres of the ultraviolet photoluminescence (PL) from the Fourier transform infrared spectroscopy and PL measurements. [-SiO3](2-) is observed by positron annihilation spectroscopy, and this defect can make the S parameters increase. After 1000 degrees C annealing, [-SiO3](2-) defects still exist in the films.
KOS主题词: Silicon oxide films;  Positron annihilation;  Porous silicon;  Thin films;  Photoluminescence;  Layers;  beam
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Hao, XP ; Wang, BY ; Yu, RS ; Wei, L ; Wang, H ; Zhao, DG ; Hao, WC .Evolution of structural defects in SiOx films fabricated by electron cyclotron resonance plasma chemical vapour deposition upon annealing treatment ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2008 ,25(3): 1034-1037
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