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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Room-temperature photonic crystal laser in H3 cavity on InGaAsP/InP slab
作者: Ren G;  Zheng WH;  Zhang YJ;  Xing MX;  Wang K;  Du XY;  Chen LH
发表日期: 2008
摘要: We fabricate and investigate two-dimensional photonic crystal H3 microcavities in an InGaAsP slab. The lasing action at room temperature is observed. The lasering threshold is 7mW under the pulsed pump of 0.75% duty cycle. The Q factor and the lasing mode characteristics are simulated by three-dimensional finite difference time domain method. The simulation result matches well with the experiment.
KOS主题词: Mode
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Ren, G ; Zheng, WH ; Zhang, YJ ; Xing, MX ; Wang, K ; Du, XY ; Chen, LH .Room-temperature photonic crystal laser in H3 cavity on InGaAsP/InP slab ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2008 ,25(3): 981-984
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