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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Structural properties of ne implanted GaN
作者: Majid A;  Ali A;  Zhu JJ;  Liu W;  Lu GJ;  Liu W;  Zhang LQ;  Liu ZS;  Wang H;  Zhao DG;  Zhang SM;  Jiang DS;  Wang YT;  Yang H;  Israr M
发表日期: 2008
摘要: We report a study on the micro-structural changes in GaN due to neon ion implantation using the x-ray diffraction and Raman scattering techniques. An implantation dose of 10(14) cm(-2) was found unable to produce lattice deformation observable by Raman measurements. For higher doses of implantation several disorder activated Raman scattering centers were observed which corroborate the literature. A new dose dependent feature has been recorded at 1595 cm(-1) for higher implantation doses which is suggested to be the vibrational mode of microcavities produced in the lattice.
KOS主题词: Raman effect
刊名: PHYSICA SCRIPTA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Majid A ; Ali A ; Zhu JJ ; Liu W ; Lu GJ ; Liu W ; Zhang LQ ; Liu ZS ; Wang H ; Zhao DG ; Zhang SM ; Jiang DS ; Wang YT ; Yang H ; Israr M .Structural properties of ne implanted GaN ,PHYSICA SCRIPTA,2008 ,77(3): Art. No. 035601
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