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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Origin of the doping bottleneck in semiconductor quantum dots: A first-principles study
作者: Li, JB;  Wei, SH;  Li, SS;  Xia, JB
发表日期: 2008
摘要: Doping difficulty in semiconductor nanocrystals has been observed and its origin is currently under debate. It is not clear whether this phenomenon is energetic or depends on the growth kinetics. Using first-principles method, we show that the transition energies and defect formation energies of the donor and acceptor defects always increase as the quantum dot sizes decrease. However, for isovalent impurities, the changes of the defect formation energies are rather small. The origin of the calculated trends is explained using simple band-energy-level models.
KOS主题词: Chemical warfare
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Li, JB ; Wei, SH ; Li, SS ; Xia, JB .Origin of the doping bottleneck in semiconductor quantum dots: A first-principles study ,PHYSICAL REVIEW B,2008 ,77(11): Art. No. 113304
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