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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Preliminary design of a tensile-strained p-type Si/SiGe quantum well infrared photodetector
作者: Jiang LG;  Kai LH;  Cheng L;  Yan CS;  Zhong YJ
发表日期: 2008
摘要: Considering tensile-strained p-type Si/Si1-yGey quantum wells grown on a relaxed Si1-xGex ( 0 0 1) virtual substrate ( y < x), the hole subband structure and the effective masses of the first bound hole state in the quantum wells are calculated by using the 6 x 6 k center dot p method. Designs for tensile-strained p-type quantum well infrared photodetectors ( QWIPs) based on the bound-to-quasi-bound transitions are discussed, which are expected to retain the ability of coupling normally incident infrared radiation without any grating couplers, have lower dark current than n-type QWIPs and also have a larger absorption coefficient and better transport characteristics than normal unstrained or compressive-strained p-type QWIPs.
刊名: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Jiang, LG ; Kai, LH ; Cheng, L ; Yan, CS ; Zhong, YJ .Preliminary design of a tensile-strained p-type Si/SiGe quantum well infrared photodetector ,SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,2008 ,23(3): Art. No. 035011
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