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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes
作者: Zhang, Y;  Han, CL;  Gao, JF;  Zhu, ZP;  Wang, BQ;  Zeng, YP
发表日期: 2008
摘要: This paper investigates the dependence of current-voltage characteristics of AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes (RTDs) on spacer layer thickness. It finds that the peak and the valley current density J in the negative differential resistance (NDR) region depends strongly on the thickness of the spacer layer. The measured peak to valley current ratio of RTDs studied here is shown to improve while the current density through RTDs decreases with increasing spacer layer thickness below a critical value.
KOS主题词: atomic layer deposition
刊名: CHINESE PHYSICS B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang, Y ; Han, CL ; Gao, JF ; Zhu, ZP ; Wang, BQ ; Zeng, YP .Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes ,CHINESE PHYSICS B,2008 ,17(4): 1472-1474
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