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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Optical modulator based on a Si0.75Ge0.25/Si/Si0.5Ge0.5 asymmetric superlattice structure
作者: Tu X;  Zuo Y;  Chen S;  Zhao L;  Yu J;  Wang Q
发表日期: 2008
摘要: An optical modulator is designed and fabricated based on a Si0.75Ge0.25/Si/Si0.5Ge0.5 asymmetrical superlattice structure. The device comprises a p-i-n diode made on the asymmetrical superlattice integrated with a 920-mu m-long Fabry-Perot (F-P) cavity. Parameters of the rib waveguide are designed to satisfy only the fundamental-TE mode transmission. Here, 65 and 40-pm red shifts of the peak resonant were measured under the applied bias of 2.5 and -32.0 V, respectively. The analysis shows that, besides the thermal-optical and plasma dispersion effects, the Pockels effect also contributes to such a peak shift. The corresponding calculated effective Pockels coefficient is about 0.158 pm/V.
KOS主题词: Silicon
刊名: LASER PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Tu, X ; Zuo, Y ; Chen, S ; Zhao, L ; Yu, J ; Wang, Q .Optical modulator based on a Si0.75Ge0.25/Si/Si0.5Ge0.5 asymmetric superlattice structure ,LASER PHYSICS,2008 ,18(4): 438-441
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