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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Paired interference 3-dB coupler based on SOI rib waveguides with anisotropic chemical wet etching
作者: Li ZY;  Yu JZ;  Chen SW;  Liu JW;  Xia JS
发表日期: 2007
摘要: A 3-dB paired interference (PI) optical coupler in silicon-on-insulator (SOI) based on rib waveguides with trapezoidal cross section was designed with simulation by a modified finite-difference beam propagation method (FD-BPM) and fabricated by potassium hydroxide (KOH) anisotropic chemical wet etching. Theoretically, tolerances of width, length, and port distance are more than 1, 100, and 1 mu m, respectively. Smooth interface was obtained with the propagation loss of 1.1 dB/cm at the wavelength of 1.55 mu m. The coupler has a good uniformity of 0.2 dB and low excess loss of less than 2 dB.
KOS主题词: semiconductor-insulator boundaries
刊名: CHINESE OPTICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Li, ZY ; Yu, JZ ; Chen, SW ; Liu, JW ; Xia, JS .Paired interference 3-dB coupler based on SOI rib waveguides with anisotropic chemical wet etching ,CHINESE OPTICS LETTERS,2007 ,5(4): 215-217
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