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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: High performance 1689-nm quantum well diode lasers
作者: Duan, YP;  Lin, T;  Wang, CL;  Chong, F;  Ma, XY
发表日期: 2007
摘要: 1689-nm diode lasers used in medical apparatus have been fabricated and characterized. The lasers had pnpn InP current confinement structure, and the active region consisted of 5 pairs of InGaAs quantum wells and InGaAsP barriers. Stripe width and cavity length of the laser were 1.8 and 300 pm, respectively. After being cavity coated. and transistor outline (TO) packaged, the lasers showed high performance in practice. The threshold current was about 13 +/- 4 mA, the operation current and the lasing spectrum were about 58 6 mA and 1689 +/- 6 nm at 6-mW output power, respectively. Moreover, the maximum output power of the lasers was above 20 mW.
KOS主题词: atomic layer deposition;  Chrysanthemum morifolium;  room temperature;  Operation
刊名: CHINESE OPTICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Duan, YP ; Lin, T ; Wang, CL ; Chong, F ; Ma, XY .High performance 1689-nm quantum well diode lasers ,CHINESE OPTICS LETTERS,2007 ,5(10): 585-587
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