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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Tunneling magnetoresistance in CoFeB/GaAs/(Ga,Mn)As hybrid magnetic tunnel junctions
作者: Du, GX;  Han, XF;  Deng, JJ;  Wang, WZ;  Zhao, JH
发表日期: 2008
摘要: We reported the all electronic demonstration of spin injection and detection in the trilayers with hybrid structure of CoFeB/GaAs/(Ga,Mn)As (metal/insulator semiconductor) by probing the magnetoresistance at low temperature from 1.8 to 30 K. Tunneling magnetoresistance (TMR) ratios of 3.8%, 4.7%, 2.9%, and 1.4% at 1.8, 10, 20, and 30 K, respectively, were observed. Bias dependence of both the junction resistance and TMR ratio was studied systematically. V-half at which TMR drops to half of its maximum is 6.3 mV, being much smaller compared to that observed in (Ga,Mn)As/ZnSe/Fe and (Ga,Mn)As/AlAs/MnAs hybrid structures, indicating lower Fermi energy of (Ga,Mn)As.
KOS主题词: Heterostructures;  Semiconductors
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Du, GX ; Han, XF ; Deng, JJ ; Wang, WZ ; Zhao, JH .Tunneling magnetoresistance in CoFeB/GaAs/(Ga,Mn)As hybrid magnetic tunnel junctions ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2008 ,103(7): Art. No. 07D105
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