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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Interaction between the intrinsic second- and third-order optical fields in an Al0.53Ga0.47N/GaN heterostructure
作者: Chen P;  Zuo YH;  Tu XG;  Cai DJ;  Li SP;  Kang JY;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM
发表日期: 2008
摘要: We present an experimental demonstration of the interaction between the intrinsic second- and third-order optical fields in an Al0.53Ga0.47N/GaN heterostructure. The sample was deposited by metal-organic chemical vapor deposition on (0001) sapphire. The nonlinear optical coefficients of the sample, which were measured with a Mach-Zehnder interferometer system, quadratically increase with the applied modulating voltage, indicating the existence of the third-order optical field. The third-order signal was then detected by the Z-scan method and we calculated the built-in dc field on the AlGaN/GaN interface to confirm the strong interaction between the intrinsic second- and third-order optical fields. (c) 2008 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Chen, P ; Zuo, YH ; Tu, XG ; Cai, DJ ; Li, SP ; Kang, JY ; Yu, YD ; Yu, JZ ; Wang, QM .Interaction between the intrinsic second- and third-order optical fields in an Al0.53Ga0.47N/GaN heterostructure ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2008 ,92(16): Art. No. 161112
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